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唐贵平, 男,汉族,中共党员,1968年6月出生,博士,教授,硕士生导师。1991年,毕业于bat365在线唯一官网登录物理系,获学士学位,2003年获华中科技大学动力工程专业硕士学位,2013年获中南大学电子信息材料与器件专业博士学位。2002年晋升副教授,现任大学物理实验中心主任。同时兼任湖南省物理学会会员,湖南省电机工程协会会员。
从教以来先后讲授《大学物理》、《大学物理实验》、《普通物理实验》、《近代物理实验》和《多媒体技术》等本科生课程。主编规划教材3本,获省级教学成果二等奖2项,获校级教学成果三等奖1项,获湖南省高等教育研究论文二等奖1项。
主要研究方向: ⑴纳米自旋电子器件的设计;⑵新型二维材料的电磁学性质。
近几年来主持的科研项目:
[1] 湖南省自然科学基金面上项目,2015JJ2009,基于石墨烯自旋电子器件的设计与机理分析,2014/10-2017/12,4万元,在研,主持。
[2] 湖南省教育厅重点科研项目,14A013,基于石墨烯自旋电子器件的模拟设计与机理分析,2014/7-2017/12,8万元,在研,主持。
[3] 湖南省社会科学基金一般项目,12YB003、大学物理演示实验创新模式探索研究、2012/10-2014/12、0.5万元,已结题,主持。
[4] 湖南省科技计划一般项目,2011FJ3089、新型开关分子器件的电输运机理及计算设计,2011/01-2013/12、2万元,已结题,主持。
[5] 湖南省教育厅优秀青年科研项目,03B06、新型硅化物环境半导体材料β-FeSi2的研究与应用, 2007/01-2009/12、3万元,已结题,主持。
[6] 湖南省教育厅一般项目,流媒体技术在宽带网络中应用的研究,1万元,2006/01-2008/12,已结题,主持。
近年来已发表的主要学术论文:
[1] G. P. Tang(*), Z. H. Zhang(*), X. Q. Deng, Z. Q. Fan, H. L. Zhang and L. Sun . The effect of different hydrogen terminations on the structural and electronic properties in the triangular array graphene nanomeshes. RSC Adv., 2017, 7(15): 8927–8935 (SCI二区, IF: 3.108).
[2] G. P. Tang(*), Z. H. Zhang(*), X. Q. Deng, Z. Q. Fan, and H. L. Zhu. Tuning spin polarization and spin transport of zigzag graphene nanoribbons by line defects. Phys. Chem. Chem. Phys. 2015, 17(1): 638–643 (SCI二区, IF: 4.198).
[3] G. P. Tang(*), Z. H. Zhang(*), X. Q. Deng, Z. Q. Fan, Y. C. Zeng, and J. C. Zhou. Improved scaling rules for bandgaps in graphene nanomeshs. Carbon, 2014. 76 : 348–356 (SCI一区, IF: 6.160).
[4] G. P. Tang, J. C. Zhou(*), Z. H. Zhang(*), X. Q. Deng, and Z. Q. Fan. A theoretical investigation on the possible improvement of spin-filter effects by an electric field for a zigzag graphene nanoribbon with a line defect. Carbon, 2013, 60: 94–101 (SCI一区, IF: 6.160).
[5] G. P. Tang, J. C. Zhou(*), Z. H. Zhang(*), X. Q. Deng, and Z. Q. Fan. Altering regularities of electronic transport properties in twisted graphene nanoribbons. Appl. Phys. Lett., 2012, 101(2): 023104 (SCI二区, IF: 3.515).
[6] G. P. Tang, Z. Q. Fan, X. J. Zhang, Y. Ren and K. Q. Chen(*). Negative differential resistance behaviour in OPE molecular devices with semiconductor electrodes. J. Phys. D: Appl. Phys., 2009, 42(17): 175104 (SCI二区, IF: 2.521).
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